| Производитель | Mitsubishi |
| Защита от перегрева | нет |
| Макс.напр.к-э,В | 1700 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 150 |
| Структура модуля | полумост |
Биполярный транзистор IGBT, 150 А, 1700 В
| Основные параметры | |
| Защита от перегрева | нет |
| Макс.напр.к-э,В | 1700 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 150 |
| Структура модуля | полумост |
| Тип силового модуля | Сборка на IGBT транзисторах |
