Производитель | ON Semiconductor*** |
Структура | npn |
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В | 1000 |
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 450 |
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 5 |
Основные параметры | |
Структура | npn |
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В | 1000 |
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 450 |
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 5 |
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 100 |
Корпус | to-220 |
Вес, г | 2.5 |