BSM75GB120DN2HOSA1, Силовой IGBT модуль, полумостовой, 1200В, 105А

Код товара: 1052
Артикул: BSM75GB120DN2HOSA1
Характеристики
Производитель INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Структура полумост
Максимальное напряжение КЭ ,В 1200
Максимальный ток КЭ при 25°C, A 105
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт 625
смотреть полные характеристики
20180,00 
наличие:
Выберите количество:
Описание Транзистор БТИЗ BSM75GB120DN2 от INFINEON – высокомощное решение для эффективного управления электрическими нагрузками. С монтажом винтами, ток коллектора достигает 75 А, обеспечивая мощность до 625 Вт. Компонент выполнен в корпусе AG-34MM-1, что гарантирует надежность и долговечность в эксплуатации. Вид IGBT подчеркивает его гибкость в области применения, отличаясь высокой эффективностью и скоростью переключения. Использование BSM75GB120DN2 в вашем проекте повысит эффективность системы и снизит энергопотребление. Характеристики

Категория Транзистор
Тип БТИЗ
Вид IGBT
Монтаж винтами
Ток коллектора, А 75
Мощность, Вт 625
Корпус AG-34MM-1
Основные параметры
Структура полумост
Максимальное напряжение КЭ ,В 1200
Максимальный ток КЭ при 25°C, A 105
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт 625
Рабочая температура (Tj), °C +150(max)
Корпус HALF-BRIDGE 1
Вес, г 250