Каталог

BD244B, Транзистор биполярный, PNP, Ic=-6А, Vceo=-80В, Vcbo=-80В, Pd=65Вт, hFE =30 [TO-220]

Код товара: 29951
Артикул: BD244B
В сравнение В избранное
BD244B, Транзистор биполярный, PNP, Ic=-6А, Vceo=-80В, Vcbo=-80В, Pd=65Вт, hFE =30 [TO-220]
BD244B, Транзистор биполярный, PNP, Ic=-6А, Vceo=-80В, Vcbo=-80В, Pd=65Вт, hFE =30 [TO-220]
Характеристики
Производитель Inchange Semiconductor
Структура pnp
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 80
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 80
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 6
смотреть полные характеристики
77,00 ₽
наличие:
Выберите количество:
Основные параметры
Структура pnp
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 80
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 80
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 6
Статический коэффициент передачи тока h21э мин 30
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц 3
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт 65
Корпус to-220
Вес, г 2.5
LQG15HS4N7S02D, 4.7 нГн, 0402, точность 0.3 нГн, Индуктивность SMD
наличие: шт
LQG15HS4N7S02D, 4.7 нГн, 0402, точность 0.3 нГн, Индуктивность SMD
Код товара: 36120
Артикул: LQG15HS4N7S02D, 4.7 нГн, 0402, точность 0.3 нГн
0,49 ₽
В корзину
BCX53-16,115, Биполярный транзистор, PNP, 80 В, 1.0 А, 1.3 Вт, PBF, [SOT-89]
наличие: шт
BCX53-16,115, Биполярный транзистор, PNP, 80 В, 1.0 А, 1.3 Вт, PBF, [SOT-89]
Код товара: 29357
Артикул: BCX53-16,115
25,00 ₽
В корзину