BCR133E6327HTSA1, Транзистор, NPN Digital, 50В, 0.1А, 0.2Вт, R1=10кОм, R2=10кОм, [SOT-23]

Код товара: 28933
Артикул: BCR133E6327HTSA1
Характеристики
Производитель INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Структура npn с 2 резисторами
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 50
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 50
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 0.1
смотреть полные характеристики
13,00 ₽
наличие:
Выберите количество:
A range of bipolar junction transistors from Infineon equipped with integrated resistors allowing the devices to be directly driven from digital sources without additional components.
Основные параметры
Структура npn с 2 резисторами
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 50
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 50
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 0.1
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц 130
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт 0.2
Корпус sot-23
Вес, г 0.05
CF-50 (С1-4) 0.5 Вт, 5.1 кОм, 5%, Резистор углеродистый
наличие: шт
Код товара: 26667
Артикул: CF-50 (С1-4) 0.5 Вт, 5.1 кОм, 5%
BDX34C, Транзистор Дарлингтона PNP 100В, 10А, 70 Вт, [TO-220]
наличие: шт
Код товара: 30330
Артикул: BDX34C
CF-50 (С1-4) 0.5 Вт, 560 кОм, 5%, Резистор углеродистый
наличие: шт
Код товара: 28280
Артикул: CF-50 (С1-4) 0.5 Вт, 560 кОм, 5%
BFU530AR, Транзистор NPN, 12В, 40мА, 11ГГц, AEC-Q101 [SOT-23-3]
наличие: шт
Код товара: 30836
Артикул: BFU530AR
BCX56-16 (BCX56L), Транзистор NPN 80В 1А HFE=100…250 0.5Вт [SOT-89]
наличие: шт
Код товара: 29555
Артикул: BCX56-16 (BCX56L)
BD14016STU, Транзистор PNP 80В 1.5А 12.5Вт (=КТ639Е) [TO-126]
наличие: шт
Код товара: 29861
Артикул: BD14016STU
BCR108E6327HTSA1, Цифровой транзистор NPN 50В 100мА 200мВт R1=2.2кОм R2=47кОм [SOT-23-3]
наличие: шт
Код товара: 28901
Артикул: BCR108E6327HTSA1
BFU590GX, Транзистор NPN, 12В, 200мА, 8.5ГГц, AEC-Q101 [SOT-223]
наличие: шт
Код товара: 30872
Артикул: BFU590GX