Производитель	ON Semiconductor***
Структура	npn
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В	100
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В	80
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)	1

Основные параметры
Структура	npn
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В	100
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В	80
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)	1
Статический коэффициент передачи тока h21э мин	100…250
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц	130
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт	1.5
Корпус	SOT-223
Вес, г	0.39

BCP56-16T1G, Транзистор NPN 80В 1А [SOT-223]