Производитель	Inchange Semiconductor
Структура	npn
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В	120
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В	120
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)	10

Основные параметры
Структура	npn
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В	120
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В	120
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)	10
Статический коэффициент передачи тока h21э мин	55…160
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц	12
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт	80
Корпус	to-3pf
Вес, г	7.5

2SD998, Транзистор биполярный, NPN, Ic=1.5А, Vceo=100В, Vcbo=100В, Pd=10Вт, hFE= 7К(тип) [TO-3PF]