Производитель	Inchange Semiconductor
Структура	npn с резистором и диодом
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В	1500
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В	800
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)	5

Основные параметры
Структура	npn с резистором и диодом
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В	1500
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В	800
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)	5
Статический коэффициент передачи тока h21э мин	8
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц	3
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт	60
Корпус	to-3pml
Вес, г	7.3

2SD5072, Транзистор биполярный, NPN, Ic=5А, Vceo=800В, Vcbo=1500В, Pd=60Вт , hFE= =8 [TO-3PML]