| Производитель | Inchange Semiconductor |
| Структура | npn с резистором и диодом |
| Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В | 1500 |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 800 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 5 |
| Основные параметры | |
| Структура | npn с резистором и диодом |
| Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В | 1500 |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 800 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 5 |
| Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 8 |
| Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 3 |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 60 |
| Корпус | to-3pml |
| Вес, г | 7.3 |