Производитель	Inchange Semiconductor
Структура	npn darlington с резистором
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В	160
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В	150
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)	10

Основные параметры
Структура	npn darlington с резистором
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В	160
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В	150
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)	10
Статический коэффициент передачи тока h21э мин	5000
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц	55
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт	100
Корпус	to-3pn
Вес, г	6.5

2SD2390, Транзистор биполярный, NPN, Ic=10А, Vceo=150В, Vcbo=160В, Pd=100Вт, hFE= =5К [TO-3PN]