Каталог

2SD1886, Транзистор биполярный, NPN, Ic=8А, Vceo=800В, Vcbo=1500В, Pd=70Вт, hFE= = 8 [TO-3PML]

Код товара: 19166
Артикул: 2SD1886
В сравнение В избранное
2SD1886, Транзистор биполярный, NPN, Ic=8А, Vceo=800В, Vcbo=1500В, Pd=70Вт, hFE= = 8 [TO-3PML]
2SD1886, Транзистор биполярный, NPN, Ic=8А, Vceo=800В, Vcbo=1500В, Pd=70Вт, hFE= = 8 [TO-3PML]
Характеристики
Производитель Inchange Semiconductor
Структура npn
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 1500
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 800
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 8
смотреть полные характеристики
660,00 ₽
наличие:
Выберите количество:
Основные параметры
Структура npn
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 1500
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 800
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 8
Статический коэффициент передачи тока h21э мин 8
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт 70
Корпус to-3pml
Вес, г 7.3
KT825Г (2017-19г), Транзистор PNP, 20А, 90В, h21e =750 [КТ-9 / TO-3] (BDX88)
наличие: шт
KT825Г (2017-19г), Транзистор PNP, 20А, 90В, h21e =750 [КТ-9 / TO-3] (BDX88)
Код товара: 32500
Артикул: KT825Г (2017-19г)
860,00 ₽
В корзину
MJ11015G, Биполярный транзистор, PNP, (Darlington), 120 В, 30 А, [TO-3]
наличие: шт
MJ11015G, Биполярный транзистор, PNP, (Darlington), 120 В, 30 А, [TO-3]
Код товара: 33020
Артикул: MJ11015G
1300,00 ₽
В корзину