Производитель	Inchange Semiconductor
Структура	npn с резистором и диодом
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В	1500
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В	800
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)	8

Основные параметры
Структура	npn с резистором и диодом
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В	1500
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В	800
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)	8
Статический коэффициент передачи тока h21э мин	8
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт	70
Корпус	to-3pf
Вес, г	7.5

2SD1880, Транзистор биполярный, NPN, Ic=8А, Vceo=800В, Vcbo=1500В, Pd=70Вт, hFE= = 8 [TO-3PF]