| Производитель | Inchange Semiconductor |
| Структура | npn darlington с 2 резисторами и диодом |
| Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В | 70 |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 60 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 4 |
| Основные параметры | |
| Структура | npn darlington с 2 резисторами и диодом |
| Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В | 70 |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 60 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 4 |
| Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 2000…5000 |
| Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 20 |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 20 |
| Корпус | TO-220FP |
| Вес, г | 2 |