Каталог

2SC5200N(S1,E,S), Транзистор NPN, 230В, 15А [TO-3P(N) / 2-16C1S]

Код товара: 16486
Артикул: 2SC5200N(S1,E,S)
В сравнение В избранное
2SC5200N(S1,E,S), Транзистор NPN, 230В, 15А [TO-3P(N) / 2-16C1S]
2SC5200N(S1,E,S), Транзистор NPN, 230В, 15А [TO-3P(N) / 2-16C1S]
Характеристики
Производитель Toshiba
Структура npn
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 230
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 230
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 15
смотреть полные характеристики
510,00 ₽
наличие:
Выберите количество:
Биполярный (BJT) транзистор NPN 230V 15A 30MHz 150W Through Hole TO-3P (N)
Основные параметры
Структура npn
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 230
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 230
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 15
Статический коэффициент передачи тока h21э мин 80…160
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц 30
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт 150
Корпус to-3pn
Вес, г 4.6
CK45-B3DD101KYGNA, Конденсатор керамический дисковый, 100 пФ, 2 кВ, ±10% (B±10%)
наличие: шт
CK45-B3DD101KYGNA, Конденсатор керамический дисковый, 100 пФ, 2 кВ, ±10% (B±10%)
Код товара: 1488
Артикул: CK45-B3DD101KYGNA
85,00 ₽
В корзину
CF-100 (С1-4) 1 Вт, 9.1 МОм, 5%, Резистор углеродистый
наличие: шт
CF-100 (С1-4) 1 Вт, 9.1 МОм, 5%, Резистор углеродистый
Код товара: 7580
Артикул: CF-100 (С1-4) 1 Вт, 9.1 МОм, 5%
7,00 ₽
В корзину
MO-100 (С2-23) 1 Вт, 6.8 кОм, 5%, Резистор металлооксидный
наличие: шт
MO-100 (С2-23) 1 Вт, 6.8 кОм, 5%, Резистор металлооксидный
Код товара: 33282
Артикул: MO-100 (С2-23) 1 Вт, 6.8 кОм, 5%
7,00 ₽
В корзину