2SC3858, Транзистор NPN 200В 17А 200Вт 20МГц [MT-200]

Код товара: 14826
Артикул: 2SC3858
Характеристики
Производитель Inchange Semiconductor
Структура npn
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 200
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 200
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 17
смотреть полные характеристики
1560,00 
наличие:
Выберите количество:
Основные параметры
Структура npn
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 200
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 200
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 17
Статический коэффициент передачи тока h21э мин 50…180
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц 20
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт 200
Корпус mt-200
Вес, г 18.5
М1000НМ-12 К10х6х4.5, Феррит
наличие: шт
Код товара: 26577
Артикул: М1000НМ-12 К10х6х4.5
PMST3904,115, Транзистор NPN, 40В, 200мА, 200мВт [SOT-323]
наличие: шт
Код товара: 35626
Артикул: PMST3904,115
М1000НМ-12 К17.5х8.2х5, Феррит
наличие: шт
Код товара: 26801
Артикул: М1000НМ-12 К17.5х8.2х5
PMBS3906,215, Транзистор PNP 40В 0.1А 250мВт Automotive [SOT-23-3]
наличие: шт
Код товара: 35446
Артикул: PMBS3906,215
FP75R12KT4, IGBT Modules 1.85V IGBT 4 PIM
наличие: шт
Код товара: 23232
Артикул: FP75R12KT4
44810,00 
В корзину
М1000НМ-12 К16х10х4.5, Феррит
наличие: шт
Код товара: 26649
Артикул: М1000НМ-12 К16х10х4.5
Каркас Индуктивности13x 7x17m(25x25x14), FWB2511-Y
наличие: шт
Код товара: 32578
Артикул: 7608 индук каркас\13x 7x17m(25x25x14)\10P\пл\FWB25
Каркас Индуктивности 13x26m(44,5x44x35) мм, FWB3901-S
наличие: шт
Код товара: 32382
Артикул: 14331 индук каркас\15x26m(44,5x44x35)\16P\пл\FWB39
Каркас Индуктивности11x 5x14m(20x20x15) мм, FWB2014-J
наличие: шт
Код товара: 32472
Артикул: 14500 индук каркас\11x 5x14m(20x20x15)\10P\пл\FWB2
FSR02CE, Force Sensors & Load Cells Std Strip, Female Force Sensing
наличие: шт
Код товара: 19018
Артикул:
5920,00 
В корзину