Производитель	Inchange Semiconductor
Структура	pnp
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В	120
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В	120
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)	10

Основные параметры
Структура	pnp
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В	120
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В	120
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)	10
Статический коэффициент передачи тока h21э мин	55…160
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц	10
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт	80
Корпус	to-3pf
Вес, г	7.5

2SB778, Транзистор биполярный, PNP, Ic=-10А, Vceo=-120В, Vcbo=-120В, Pd=80Вт, hFE= 55…160 [TO-3PF]