Производитель	Inchange Semiconductor
Структура	pnp
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В	180
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В	180
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)	17

Основные параметры
Структура	pnp
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В	180
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В	180
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)	17
Статический коэффициент передачи тока h21э мин	30…180
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц	40
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт	200
Корпус	mt-200
Вес, г	18.5

2SA1216, Транзистор биполярный, PNP, Ic=-17А, Vceo=-180В, Vcbo=-180В, Pd=200Вт, hFE= 30…180 [MT-200]