2N5551BU, Транзистор NPN 160В 0.6А 0.625Вт 100МГц [TO-92]

Код товара: 5251
Артикул: 2N5551BU
Характеристики
Производитель ON Semiconductor***
Структура npn
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 160
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 160
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 0.6
смотреть полные характеристики
21,00 
наличие:
Выберите количество:
Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs.
Основные параметры
Структура npn
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 160
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 160
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 0.6
Статический коэффициент передачи тока h21э мин 80
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц 100
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт 0.625
Корпус TO-92
Вес, г 0.3