2Т903Б, Транзистор NPN, усилительный

Код товара: 22136

Артикул: 2Т903Б

Характеристики

Производитель	Россия
Структура	npn
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В	60
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В	60
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)	10

смотреть полные характеристики

130,00 ₽

наличие:

Выберите количество:

В корзину

Описание
Технические характеристики

2Т903Б
Транзисторы 2Т903Б кремниевые мезапланарные структуры n-p-n переключательные.
Предназначены для применения в усилителях мощности и автогенераторах в радиоэлектронной аппаратуре специального назначения.
Выпускаются в металлическом корпусе со стеклянными изоляторами и жесткими выводами.
Маркировка нанесена цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Тип корпуса: КТЮ-3-20.
Масса транзистора не более 22,0 г, с накидным фланцем – не более 34,0 г.
Климатическое исполнение: «УХЛ» и «В».
Категория качества: «ВП».
Технические условия:
– приемка «5» – И93.365.004ТУ.
Зарубежный аналог: 2N2947, BLY68.

Гарантийный срок хранения транзисторов – 25 лет с даты приёмки, а в случае перепроверки изделия – с даты перепроверки.
Гарантийная наработка:
– 25000 часов – во всех режимах, допускаемых ТУ;
– 50000 часов – в облегчённом режиме.
Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения.

Основные технические характеристики транзистора 2Т903Б:
• Структура транзистора: n-p-n;
• Рк т max – Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 30 Вт;
• fгр – Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: более 120 МГц;
• Uэбо max – Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4 В;
• Iк max – Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 3 А;
• Iк и max – Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 10 А;
• h21э – Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 40… 180;
• Ск – Емкость коллекторного перехода: не более 180 пФ;
• Rкэ нас – Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 1 Ом;
• Рвых – Выходная мощность транзистора: не менее 10 Вт на частоте 50 МГц

Основные параметры
Структура	npn
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В	60
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В	60
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)	10
Статический коэффициент передачи тока h21э мин	15…70
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц	120
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт	30
Корпус	ктю-3-20
Вес, г	34