2Т827А, Транзистор Дарлингтона NPN

Код товара: 22072

Артикул: 2Т827А

Характеристики

Производитель	Россия
Структура	npn
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В	100
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В	100
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)	20

смотреть полные характеристики

890,00 ₽

наличие:

Выберите количество:

В корзину

Описание
Технические характеристики

2Т827А
Транзисторы 2Т827А кремниевые эпитаксиальные меза-планарные составные структуры n-p-n переключательные.
Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, стабилизаторах тока и напряжения, импульсных усилителях мощности, повторителях, переключающих устройствах, электронных системах управления защиты и автоматики.
Используются для работы в узлах и блоках радиоэлектронной аппаратуры специального назначения.
Транзисторы 2Т827А, 2Т827Б, 2Т827В выпускаются в металлическом корпусе со стеклянными изоляторами и жесткими выводами.
Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Тип корпуса: КТ-9 (TO-3).
Транзистор 2Т827А-5 выпускается в виде кристаллов неразделенных с контактными площадками на пластине для гибридных интегральных микросхем.
Тип прибора указывается в этикетке.
Масса транзистора в металлическом корпусе не более 20,0 г, кристалла не более 0,01 г.
Климатическое исполнение: «УХЛ» и «В».
Категория качества: «ВП».
Технические условия:
– приемка «5» – аА0.339.119ТУ.
Зарубежный аналог: 2SD729H.

Гарантийный срок хранения транзисторов – 25 лет с даты приёмки, а в случае перепроверки изделия – с даты перепроверки.
Гарантийная наработка:
– 25000 часов – во всех режимах, допускаемых ТУ;
– 40000 часов – в облегчённом режиме.
Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения.

Основные технические характеристики транзистора 2Т827А:
• Структура транзистора: n-p-n;
• Рк т max – Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 125 Вт;
• fгр – Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 4 МГц;
• Uкэr max – Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 100 В (1кОм);
• Uэбо max – Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В;
• Iк max – Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 20 А;
• Iк и max – Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 40 А;
• Iкэr – Обратный ток коллектор-эмиттер при заданных обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база-эмиттер: 3 мА (100В);
• h21э – Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 750… 18000;
• Ск – Емкость коллекторного перехода: не более 400 пФ;
• Rкэ нас – Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,2 Ом

Основные параметры
Структура	npn
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В	100
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В	100
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)	20
Статический коэффициент передачи тока h21э мин	750…18000
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц	4
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт	125
Корпус	кт-9(то-3)
Вес, г	20