2Т809А (199*г) (б/крепежа), Транзистор NPN, переключательный

Код товара: 22004
Артикул: 2Т809А (199*г) (б/крепежа)
Характеристики
Производитель Россия
Структура npn
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 400
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 400
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 3
смотреть полные характеристики
350,00 
наличие:
Выберите количество:
2Т809А
Транзисторы 2Т809А кремниевые мезапланарные структуры n-p-n переключательные.
Предназначены для применения в переключающих и импульсных устройствах в радиоэлектронной аппаратуре специального назначения.
Выпускаются в металлическом корпусе со стеклянными изоляторами и жесткими выводами.
Маркировка нанесена цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Тип корпуса: КТЮ-3-20.
Масса транзистора не более 22,0 г, с накидным фланцем – не более 34,0 г.
Климатическое исполнение: «УХЛ» и «В».
Категория качества: «ВП», «ОСМ», «ОС».
Технические условия:
– приемка «ВП» ГЕ3.365.017ТУ;
– приемка «ОСМ» ГЕ3.365.017ТУ, П0.070.052;
– приемка «ОС» ГЕ3.365.017ТУ, аА0.339.190ТУ.
Зарубежный аналог: 2SC2501.

Гарантийный срок хранения транзисторов – 25 лет с даты приёмки, а в случае перепроверки изделия – с даты перепроверки.
Гарантийная наработка:
– 25000 часов – во всех режимах, допускаемых ТУ;
– 40000 часов – в облегчённом режиме.
Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения.

Основные технические характеристики транзистора 2Т809А:
• Структура транзистора: n-p-n;
• Рк т max – Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 40 Вт;
• fгр – Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 5,1 мГц;
• Uкэr max – Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 400 В;
• Uэбо max – Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4 В;
• Iк max – Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 3 А;
• Iк и max – Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 5 А;
• Iкэr – Обратный ток коллектор-эмиттер при заданных обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база-эмиттер: 3 мА (400 В);
• h21э – Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 15… 100;
• Ск – Емкость коллекторного перехода: не более 270 пФ;
• Rкэ нас – Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,75 Ом

Основные параметры
Структура npn
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 400
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 400
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 3
Статический коэффициент передачи тока h21э мин 15…100
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц 5.1
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт 40
Корпус ктю-3-20
Вес, г 28
2035-35-B, Gas Discharge Tubes – GDTs / Gas Plasma Arrestors Sparkover100V/s 350V Miniature 2 Pole
наличие: шт
Код товара: 27536
Артикул: 2035-35-B
C0805C471K1RACTU, Ceramic Capacitor 4000pcs (Reel) 470pF, 100VDC, 0805, A±10 %
наличие: шт
Код товара: 33934
Артикул: C0805C471K1RACTU
C320C104M5U5TA7301, Ceramic Capacitor, 100nF, 50V, 20%
наличие: шт
Код товара: 36018
Артикул: C320C104M5U5TA7301
MO-100 (С2-23) 1 Вт, 200 кОм, 5%, Резистор металлооксидный
наличие: шт
Код товара: 33932
Артикул: MO-100 (С2-23) 1 Вт, 200 кОм, 5%