| Производитель | ON Semiconductor*** |
| Мощность рассеяния,Вт | 0.5 |
| Минимальное напряжение стабилизации,В | 7.79 |
| Номинальное напряжение стабилизации,В | 8.2 |
| Максимальное напряжение стабилизации,В | 8.61 |
| Основные параметры | |
| Мощность рассеяния,Вт | 0.5 |
| Минимальное напряжение стабилизации,В | 7.79 |
| Номинальное напряжение стабилизации,В | 8.2 |
| Максимальное напряжение стабилизации,В | 8.61 |
| Статическое сопротивление Rст.,Ом | 8 |
| при токе I ст,мА | 20 |
| Температурный коэффициент напряжения стабилизации | +0.062(%/C) |
| Минимальный ток стабилизации Iст.мин.,мА | 0.25 |
| Максимальный ток стабилизации Iст.макс.,мА | 60 |
| Рабочая температура,С | -65…+200 |
| Способ монтажа | в отверстие |
| Корпус | DO-35 |
| Вес, г | 0.2 |