Каталог

MGC50D12A1-251H3, Полумостовой модуль IGBT 50А 1200В

Код товара: 9227
Артикул: MGC50D12A1-251H3
В сравнение В избранное
MGC50D12A1-251H3, Полумостовой модуль IGBT 50А 1200В
MGC50D12A1-251H3, Полумостовой модуль IGBT 50А 1200В
Характеристики
Производитель TechSem
Вес, г 160
смотреть полные характеристики
5240,00 ₽
наличие:
Выберите количество:
Транзисторы / IGBT (БТИЗ) транзисторы / Силовые модули IGBT

Полумостовой модуль IGBT 50А 1200В

Основные параметры
Вес, г 160
Аккумуляторная батарея SP3770E1H для Samsung Galaxy Note 8.0 N5100 4600mAh
наличие: шт
Аккумуляторная батарея SP3770E1H для Samsung Galaxy Note 8.0 N5100 4600mAh
Код товара: 6713
Артикул:
870,00 ₽
В корзину
CM50DU-24H, 2 IGBT 1200V 50A 3-gen (U-Series)
наличие: шт
CM50DU-24H, 2 IGBT 1200V 50A 3-gen (U-Series)
Код товара: 15876
Артикул:
13090,00 ₽
В корзину
Аккумулятор EB-BT800FBE для планшета Samsung Galaxy Tab S 10.5 SM-T800, SM-T801, SM-T805 3.8V 7900mAh
наличие: шт
Аккумулятор EB-BT800FBE для планшета Samsung Galaxy Tab S 10.5 SM-T800, SM-T801, SM-T805 3.8V 7900mAh
Код товара: 18798
Артикул: EB-BT800FBE, CS-SMT805SL, EB-BT800FBU, EB-BT800FBK
1370,00 ₽
В корзину