Каталог

MGC50D12A1-251H3, Полумостовой модуль IGBT 50А 1200В

Код товара: 9227
Артикул: MGC50D12A1-251H3
В сравнение В избранное
MGC50D12A1-251H3, Полумостовой модуль IGBT 50А 1200В
MGC50D12A1-251H3, Полумостовой модуль IGBT 50А 1200В
Характеристики
Производитель TechSem
Вес, г 160
смотреть полные характеристики
5240,00 ₽
наличие:
Выберите количество:
Транзисторы / IGBT (БТИЗ) транзисторы / Силовые модули IGBT

Полумостовой модуль IGBT 50А 1200В

Основные параметры
Вес, г 160
Катушка переменной индуктивности, 10,0×10,0x6,5
наличие: шт
Катушка переменной индуктивности, 10,0×10,0x6,5
Код товара: 33208
Артикул: 4199 индук КИВП \\10,0x10,0x6,5\\Б-200
170,00 ₽
В корзину
Катушка переменной индуктивности, 0,6~1,0мкГн, 7,3×7,3×8,3
наличие: шт
Катушка переменной индуктивности, 0,6~1,0мкГн, 7,3×7,3×8,3
Код товара: 33046
Артикул: 4109 индук КИВП 0,6~1,0мкГн\\7,3x7,3x8,3\\
140,00 ₽
В корзину
AM1LS-1203S-NZ
наличие: шт
AM1LS-1203S-NZ
Код товара: 29607
Артикул:
540,00 ₽
В корзину
ТТП400 (12В, 30А), Трансформатор тороидальный, 12В, 30А
наличие: шт
ТТП400 (12В, 30А), Трансформатор тороидальный, 12В, 30А
Код товара: 6814
Артикул: ТТП400 (12В, 30А)
9320,00 ₽
В корзину
KBP208, диодный мост однофазный, 800 В, 2 А
наличие: шт
KBP208, диодный мост однофазный, 800 В, 2 А
Код товара: 21608
Артикул:
11,00 ₽
В корзину