Каталог

MGC50D12A1-251H3, Полумостовой модуль IGBT 50А 1200В

Код товара: 9227
Артикул: MGC50D12A1-251H3
В сравнение В избранное
MGC50D12A1-251H3, Полумостовой модуль IGBT 50А 1200В
MGC50D12A1-251H3, Полумостовой модуль IGBT 50А 1200В
Характеристики
Производитель TechSem
Вес, г 160
смотреть полные характеристики
5240,00 ₽
наличие:
Выберите количество:
Транзисторы / IGBT (БТИЗ) транзисторы / Силовые модули IGBT

Полумостовой модуль IGBT 50А 1200В

Основные параметры
Вес, г 160
LM2733XMFX/NOPB, , Повышающий преобразователь напряжения с встроенным полевым транзистором, 1.6МГц, корпус SOT-23-5
наличие: шт
LM2733XMFX/NOPB, , Повышающий преобразователь напряжения с встроенным полевым транзистором, 1.6МГц, корпус SOT-23-5
Код товара: 23632
Артикул: LM2733XMFX/NOPB, , Повышающий преобразователь напр
150,00 ₽
В корзину
LM2678SX-ADJ/NOPB, DC-DC преобразователь, SIMPLE SWITCHER [TO-263-7]
наличие: шт
LM2678SX-ADJ/NOPB, DC-DC преобразователь, SIMPLE SWITCHER [TO-263-7]
Код товара: 6227
Артикул: LM2678SX-ADJ/NOPB
950,00 ₽
В корзину
(2000000067735) слуховой динамик для iPhone 6
наличие: шт
(2000000067735) слуховой динамик для iPhone 6
Код товара: 2431
Артикул:
33,00 ₽
В корзину