• Home
• Электронные компоненты
• Полупроводниковые модули
• IGBT
• MGC50D12A1-251H3, Полумостовой модуль IGBT 50А 1200В

MGC50D12A1-251H3, Полумостовой модуль IGBT 50А 1200В

Характеристики

Производитель	TechSem
Вес, г	160

смотреть полные характеристики

5240,00 ₽

наличие:

Выберите количество:

• В корзину

• Описание
• Технические характеристики

Транзисторы / IGBT (БТИЗ) транзисторы / Силовые модули IGBT

Полумостовой модуль IGBT 50А 1200В

Основные параметры
Вес, г	160