Производитель	Inchange Semiconductor
Структура	pnp
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В	160
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В	140
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)	12

Основные параметры
Структура	pnp
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В	160
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В	140
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)	12
Статический коэффициент передачи тока h21э мин	60…200
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц	15
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт	100
Корпус	to-3pn
Вес, г	6.5

2SB817, Транзистор биполярный, PNP, Ic=-12А, Vceo=-140В, Vcbo=-160В, Pd=100Вт, hFE= 60…200 [TO-3PN]