Производитель	Inchange Semiconductor
Структура	pnp
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В	180
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В	160
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)	1.5

Основные параметры
Структура	pnp
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В	180
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В	160
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)	1.5
Статический коэффициент передачи тока h21э мин	60…200
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц	140
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт	20
Корпус	to-126
Вес, г	0.9

2SB649A, Транзистор биполярный, PNP, Ic=-1.5А, Vceo=-160В, Vcbo=-180В, Pd=20Вт, hFE= 60…200 [TO-126]