| Производитель | STARPOWER |
| Collector Emitter Saturation Voltage | 2В |
| Collector Emitter Voltage Max | 1.2кВ |
| Continuous Collector Current | 630А |
| DC Ток Коллектора | 630А |
Модуль силовой IGBT полумостовой 1200В, 400А, +175°C
| Основные параметры | |
| Collector Emitter Saturation Voltage | 2В |
| Collector Emitter Voltage Max | 1.2кВ |
| Continuous Collector Current | 630А |
| DC Ток Коллектора | 630А |
| Power Dissipation | 2.083кВт |
| Выводы БТИЗ | Stud |
| Конфигурация БТИЗ | Half Bridge |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Максимальная Температура Перехода Tj | 150°C |
| Монтаж транзистора | Panel |
| Напряжение Коллектор-Эмиттер | 1.2кВ |
| Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on) | 2В |
| Рассеиваемая Мощность | 2.083кВт |
| Стиль Корпуса Транзистора | Module |
| Технология БТИЗ | Trench Field Stop |
| Вес, г | 4.54 |
