Производитель	Inchange Semiconductor
Структура	pnp
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В	60
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В	50
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)	5

Основные параметры
Структура	pnp
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В	60
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В	50
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)	5
Статический коэффициент передачи тока h21э мин	70…400
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц	180
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт	20
Корпус	ipak(to-251)
Вес, г	0.45

2SB1203, Транзистор биполярный, PNP, Ic=-5А, Vceo=-50В, Vcbo=-60В, Pd=20Вт , hFE= 70…400 [TO-251]