Каталог

FP40R12KT3BOSA1, Силовой модуль IGBT N-канальный 1200В 55А 210Вт 24-Pin ECONO2-5 лоток

Код товара: 7513
Артикул: FP40R12KT3BOSA1
В сравнение В избранное
FP40R12KT3BOSA1, Силовой модуль IGBT N-канальный 1200В 55А 210Вт 24-Pin ECONO2-5 лоток
FP40R12KT3BOSA1, Силовой модуль IGBT N-канальный 1200В 55А 210Вт 24-Pin ECONO2-5 лоток
Характеристики
Производитель INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Корпус AG-ECONO2C
Вес, г 3.184
смотреть полные характеристики
8880,00 ₽
наличие:
Выберите количество:
Транзисторы / IGBT (БТИЗ) транзисторы / Силовые модули IGBT

Силовой модуль IGBT N-канальный 1200В 55А 210Вт 24-Pin ECONO2-5 лоток

Основные параметры
Корпус AG-ECONO2C
Вес, г 3.184
FS75R12KE3BOSA1
наличие: шт
FS75R12KE3BOSA1
Код товара: 5245
Артикул:
10980,00 ₽
В корзину
MJD45H11G, Транзистор, PNP, 8A, 80V, [D-PAK]
наличие: шт
MJD45H11G, Транзистор, PNP, 8A, 80V, [D-PAK]
Код товара: 33470
Артикул: MJD45H11G
98,00 ₽
В корзину
MJE2955T, PNP биполярный транзистор, [TO-220]
наличие: шт
MJE2955T, PNP биполярный транзистор, [TO-220]
Код товара: 33814
Артикул: MJE2955T
90,00 ₽
В корзину
FP50R12KE3BOSA1, IGBT Array & Module Transistor, N Channel, 75 A, 1.7 V, 280 W, 1.2 kV, Module
наличие: шт
FP50R12KE3BOSA1, IGBT Array & Module Transistor, N Channel, 75 A, 1.7 V, 280 W, 1.2 kV, Module
Код товара: 22470
Артикул:
39100,00 ₽
В корзину
FP10R12W1T4BOMA1, БТИЗ массив и модульный транзистор, PIM Three Phase Input Rectifier, 20 А, 1.85 В, 105 Вт, 150 °C
наличие: шт
FP10R12W1T4BOMA1, БТИЗ массив и модульный транзистор, PIM Three Phase Input Rectifier, 20 А, 1.85 В, 105 Вт, 150 °C
Код товара: 20688
Артикул: FP10R12W1T4BOMA1
8490,00 ₽
В корзину
FP50R12KT4GBOSA1, Trans IGBT Module N-CH 1200V 50A 280W 35-Pin ECONO3-3 Tray
наличие: шт
FP50R12KT4GBOSA1, Trans IGBT Module N-CH 1200V 50A 280W 35-Pin ECONO3-3 Tray
Код товара: 22746
Артикул: FP50R12KT4GBOSA1
36150,00 ₽
В корзину