SKM200GB12T4

Код товара: 6163

Артикул: N/A

Характеристики

Производитель	Нет торговой марки
Корпус	SEMITRANS3
Версия	D56
Импульсный ток	600А
Конструкция диода	транзистор/транзистор

смотреть полные характеристики

25960,00 ₽

наличие:

Выберите количество:

В корзину

Описание
Технические характеристики

Электроэлемент

Описание Транзистор БТИЗ SKM200GB12T4 от SEMIKRON – это мощный IGBT модуль, монтируемый винтами, что обеспечивает надежное соединение в различных электронных применениях. Способен выдерживать ток коллектора до 241 А, что делает его отличным выбором для систем с высокими требованиями к электропитанию. Корпус SEMITRANS3 гарантирует долговечность и стабильность работы устройства даже в условиях интенсивного использования. Используйте SKM200GB12T4 для повышения эффективности и надежности ваших электронных схем. Характеристики

Категория	Транзистор
Тип	БТИЗ
Вид	IGBT
Монтаж	винтами
Ток коллектора, А	241
Корпус	SEMITRANS3

Основные параметры
Корпус	SEMITRANS3
Версия	D56
Импульсный ток	600А
Конструкция диода	транзистор/транзистор
Монтаж	винтами
Напряжение затвор - эмиттер	±20В
Обратное напряжение макс.	1.2кВ
Производитель	SEMIKRON
Рабочая температура	-40…125°C
Тип модуля	IGBT
Ток коллектора	241А
Топология	полумост IGBT
Электрический монтаж	винтами
Вес, г	322.5