Производитель	Inchange Semiconductor
Структура	pnp
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В	150
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В	150
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)	10

Основные параметры
Структура	pnp
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В	150
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В	150
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)	10
Статический коэффициент передачи тока h21э мин	50…80
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц	60
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт	100
Корпус	to-3pn
Вес, г	6.5

2SA1186, Транзистор биполярный, PNP, Ic=-10А, Vceo=-150В, Vcbo=-150В, Pd=100Вт , hFE= 50…80 [TO-3PN]