PM50CL1B120#300G модуль IGBT (L1 серия) Mitsubishi

Код товара: 5641
Артикул: N/A
Характеристики
Производитель Mitsubishi
Защита от перегрева есть
Макс.напр.к-э,В 1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 50
Тип силового модуля Интеллектуальный модуль IPM
смотреть полные характеристики
79860,00 
наличие:
Выберите количество:
Модули IGBT
Основные параметры
Защита от перегрева есть
Макс.напр.к-э,В 1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 50
Тип силового модуля Интеллектуальный модуль IPM
MO-100 (С2-23) 1 Вт, 68 Ом, 5%, Резистор металлооксидный
наличие: шт
Код товара: 32420
Артикул: MO-100 (С2-23) 1 Вт, 68 Ом, 5%
DFI600HF17I4RE1, (IGBT Модуль 1700В, 600А), IGBT Модуль 1700В, 600А, полумостовой
наличие: шт
Код товара: 7023
Артикул: DFI600HF17I4RE1
19640,00 
В корзину
CF-100 (С1-4) 1 Вт, 5.1 МОм, 5%, Резистор углеродистый
наличие: шт
Код товара: 7254
Артикул: CF-100 (С1-4) 1 Вт, 5.1 МОм, 5%
М2500НМС1, 32х20х6, Сердечник ферритовый кольцевой
наличие: шт
Код товара: 5243
Артикул: М2500НМС1, 32х20х6
MO-200 (С2-23) 2 Вт, 10 Ом, 5%, Резистор металлооксидный
наличие: шт
Код товара: 35100
Артикул: MO-200 (С2-23) 2 Вт, 10 Ом, 5%
MO-100 (С2-23) 1 Вт, 750 кОм, 5%, Резистор металлооксидный
наличие: шт
Код товара: 34186
Артикул: MO-100 (С2-23) 1 Вт, 750 кОм, 5%
MO-200 (С2-23) 2 Вт, 3.6 Ом, 5%, Резистор металлооксидный
наличие: шт
Код товара: 34902
Артикул: MO-200 (С2-23) 2 Вт, 3.6 Ом, 5%
MO-200 (С2-23) 2 Вт, 1 кОм, 5%, Резистор металлооксидный
наличие: шт
Код товара: 35948
Артикул: MO-200 (С2-23) 2 Вт, 1 кОм, 5%