2N5551BU, Транзистор NPN 160В 0.6А 0.625Вт 100МГц [TO-92]

Код товара: 5251
Артикул: 2N5551BU
Характеристики
Производитель ON Semiconductor***
Структура npn
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 160
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 160
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 0.6
смотреть полные характеристики
21,00 
наличие:
Выберите количество:
Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs.
Основные параметры
Структура npn
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 160
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 160
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 0.6
Статический коэффициент передачи тока h21э мин 80
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц 100
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт 0.625
Корпус TO-92
Вес, г 0.3
CC-15/500, Конденсатор: керамический, 15пФ, 500В, NP0, ±10%, THT, 5мм
наличие: шт
Код товара: 2655
Артикул: CC-15/500
516320, Трехфазный конденсатор BZMJ 0.525-30-3 АС525В, 30 кВАр
наличие: шт
Код товара: 4004
Артикул: 516320
18010,00 
В корзину
2026-07-C2, Gas Discharge Tubes – GDTs / Gas Plasma Arrestors Sparkover 100V/s 75V 3 Pole
наличие: шт
Код товара: 20131
Артикул: 2026-07-C2