2N5551BU, Транзистор NPN 160В 0.6А 0.625Вт 100МГц [TO-92]

Код товара: 5251

Артикул: 2N5551BU

Характеристики

Производитель	ON Semiconductor***
Структура	npn
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В	160
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В	160
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)	0.6

21,00 ₽

наличие:

Выберите количество:

Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs.

Основные параметры
Структура	npn
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В	160
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В	160
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)	0.6
Статический коэффициент передачи тока h21э мин	80
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц	100
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт	0.625
Корпус	TO-92
Вес, г	0.3

наличие: шт

Код товара: 35554

Артикул: PMBT4403,215

9,00 ₽

В корзину

наличие: шт

Код товара: 7988

Артикул: 189020.4; 4 А, 500 В, 6.3х32 мм, F

140,00 ₽

В корзину