| Производитель | Mitsubishi |
| Время нарастания импульса тока к-э на индуктивной нагрузке,нс | 200 |
| Входная емкость затвора,нФ | 7.5 |
| Драйвер управления | внешний |
| Защита от короткого замыкания | нет |
| Основные параметры | |
| Время нарастания импульса тока к-э на индуктивной нагрузке,нс | 200 |
| Входная емкость затвора,нФ | 7.5 |
| Драйвер управления | внешний |
| Защита от короткого замыкания | нет |
| Защита от перегрева | нет |
| Защита от пониженного напряжения питания | нет |
| Защита по току | нет |
| Макс.напр.к-э,В | 1200 |
| Максимальная рассеиваимая мощность,Вт | 400 |
| Максимальная частота модуляции,кГц | 15 |
| Максимально допустимое напряжение затвор-эмиттер (-/ ),В | 6 |
| Максимальный ток эмиттера, А | 100 |
| Напряжение изоляции, В | 2500 |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В | 2.9 |
| Напряжение эмиттер-коллектор,В | 3.2 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 50 |
| Структура модуля | мост |
| Тип силового модуля | Сборка на IGBT транзисторах |
