CM400DY-12NF 400A 600В модуль 2 IGBT (5 поколение, NF серия) Mitsubishi

Код товара: 4895
Артикул: N/A
Характеристики
Производитель Mitsubishi
Время нарастания импульса тока к-э на индуктивной нагрузке,нс 200
Входная емкость затвора,нФ 60
Драйвер управления VLA503
Защита от короткого замыкания нет
смотреть полные характеристики
90320,00 
наличие:
Выберите количество:
Модули IGBT

IGBT модули серии NF представляют 5-ое поколение модулей Mitsubishi. Они предназначены для высоковольтной коммутации в составе силовых приводов асинхронных двигателей и высокочастотных преобразователей. Применяемые для их создания усовершенствованные технологии позволяют получить низкие напряжения насыщения и высокую скорость переключения, необходимые для функционирования на частотах до 20 кГц. 5-ое поколение модулей представляет синтез двух передовых технологий: технологии изготовления кристалла CSTBT и LPT пластины. Отличительные особенности NF-модулей: – повышенная стойкость к короткому замыканию, – малая емкость затвора, – низкое напряжение насыщения коллектор-эмиттер, – стандартный корпус (аналог популярной H-серии), – устойчивость к коротким замыканиям, – улучшенная теплопроводность подложки из AlN, – внутренняя индуктивность снижена в два раза по сравнению с H-серией. Область применения: – Инверторы – Системы вторичного электропитания – Производство электроэнергии; ветро и солнечные электростанции. – Электросварочное оборудование – Системы электроприводов

Основные параметры
Время нарастания импульса тока к-э на индуктивной нагрузке,нс 200
Входная емкость затвора,нФ 60
Драйвер управления VLA503
Защита от короткого замыкания нет
Защита от перегрева нет
Защита от пониженного напряжения питания нет
Защита по току нет
Макс.напр.к-э,В 600
Максимальная рассеиваимая мощность,Вт 1130
Максимальная частота модуляции,кГц 20
Максимально допустимое напряжение затвор-эмиттер (-/ ),В 6
Максимальный ток эмиттера, А 800
Напряжение изоляции, В 2500
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В 1.7
Напряжение эмиттер-коллектор,В 1.7
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 400
Структура модуля полумост
Тип силового модуля Сборка на IGBT транзисторах
Вес, г 466
CF-100 (С1-4) 1 Вт, 3.9 кОм, 5%, Резистор углеродистый
наличие: шт
Код товара: 3904
Артикул: CF-100 (С1-4) 1 Вт, 3.9 кОм, 5%
Сервер Hewlett-Packard 777394-B21
наличие: шт
Код товара: 12959
Артикул: 777394-B21
CF-100 (С1-4) 1 Вт, 270 Ом, 5%, Резистор углеродистый
наличие: шт
Код товара: 2741
Артикул: CF-100 (С1-4) 1 Вт, 270 Ом, 5%
WYO502MCMCF0KR
наличие: шт
Код товара: 30902
Артикул:
BCAS160808B601, (BLM18HD601SN1D), Помехоподавляющий фильтр высокочастотный 600 Ом @100 МГц, 0.1 А, 0603
наличие: шт
Код товара: 9855
Артикул: BCAS160808B601, (BLM18HD601SN1D), Помехоподавляющ
CF-100 (С1-4) 1 Вт, 220 Ом, 5%, Резистор углеродистый
наличие: шт
Код товара: 2653
Артикул: CF-100 (С1-4) 1 Вт, 220 Ом, 5%
SY7304DBC
наличие: шт
Код товара: 26673
Артикул:
CF-100 (С1-4) 1 Вт, 27 Ом, 5%, Резистор углеродистый
наличие: шт
Код товара: 1852
Артикул: CF-100 (С1-4) 1 Вт, 27 Ом, 5%
Single Layer Ceramic Capacitor (SLCC) 4700pF 3kV dc –20 %, +80 %, CK45, Through Hole
наличие: шт
Код товара: 28048
Артикул: