Каталог

PM50RL1B120#350G, IGBT модуль 350G 1200В 50A 5 поколение L1 серия

Код товара: 4306
Артикул: PM50RL1B120#350G
В сравнение В избранное
PM50RL1B120#350G, IGBT модуль 350G 1200В 50A 5 поколение L1 серия
PM50RL1B120#350G, IGBT модуль 350G 1200В 50A 5 поколение L1 серия
Характеристики
Производитель Mitsubishi
Защита от перегрева есть
Макс.напр.к-э,В 1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 50
Тип силового модуля Интеллектуальный модуль IPM
смотреть полные характеристики
10310,00 ₽
наличие:
Выберите количество:
Силовые IGBTи SiC модули
Основные параметры
Защита от перегрева есть
Макс.напр.к-э,В 1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 50
Тип силового модуля Интеллектуальный модуль IPM
М2000НМ, Ч30 (1 шт.), Сердечник ферритовый чашечный
наличие: шт
М2000НМ, Ч30 (1 шт.), Сердечник ферритовый чашечный
Код товара: 4260
Артикул: М2000НМ, Ч30 (1 шт.)
310,00 ₽
В корзину
CF-100 (С1-4) 1 Вт, 4.3 МОм, 5%, Резистор углеродистый
наличие: шт
CF-100 (С1-4) 1 Вт, 4.3 МОм, 5%, Резистор углеродистый
Код товара: 7150
Артикул: CF-100 (С1-4) 1 Вт, 4.3 МОм, 5%
7,00 ₽
В корзину
SM-LP-5001, Трансформатор согласующий
наличие: шт
SM-LP-5001, Трансформатор согласующий
Код товара: 16912
Артикул: SM-LP-5001
400,00 ₽
В корзину
М50ВН, 16х8х6, Сердечник ферритовый кольцевой
наличие: шт
М50ВН, 16х8х6, Сердечник ферритовый кольцевой
Код товара: 6553
Артикул: М50ВН, 16х8х6
81,00 ₽
В корзину