• Home
• Электронные компоненты
• Полупроводниковые модули
• IGBT
• PM200DV1A120, IGBT модуль 1200В 200A V1 серия

PM200DV1A120, IGBT модуль 1200В 200A V1 серия

Характеристики

Производитель	Mitsubishi
Защита от перегрева	есть
Макс.напр.к-э,В	1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А	200
Тип силового модуля	Интеллектуальный модуль IPM

смотреть полные характеристики

24790,00 ₽

наличие:

Выберите количество:

• В корзину

• Описание
• Технические характеристики

Силовые IGBTи SiC модули

Основные параметры
Защита от перегрева	есть
Макс.напр.к-э,В	1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А	200
Тип силового модуля	Интеллектуальный модуль IPM