MG450HF12TFC2, IGBT модуль, 1200В, 450А, 2307Вт [C2] =GD400HFF120C2S

Код товара: 3972
Артикул: MG450HF12TFC2
Характеристики
Производитель Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd.
Макс.напр.к-э,В 1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 450
Структура модуля полумост
Тип силового модуля Сборка на IGBT транзисторах
смотреть полные характеристики
11240,00 
наличие:
Выберите количество:
Силовые IGBTи SiC модули
Основные параметры
Макс.напр.к-э,В 1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 450
Структура модуля полумост
Тип силового модуля Сборка на IGBT транзисторах
кол-во в упаковке 30
Вес, г 345
2045-47-BLF, Gas Discharge Tubes 470VDC 10kADC 1.5pF Axial Thru-Hole
наличие: шт
Код товара: 28957
Артикул:
Д818Б металл, Стабилитрон кремниевый, 8.3В
наличие: шт
Код товара: 13949
Артикул: Д818Б металл
GD200HFU120C2S, Модуль IGBT 1200В 262А
наличие: шт
Код товара: 7819
Артикул: GD200HFU120C2S
10360,00 
В корзину
LM3671MF-3.3/NOPB, DC-DC преобразователь 3.3В 600мА [SOT-23-5]
наличие: шт
Код товара: 6753
Артикул: LM3671MF-3.3/NOPB