MG450HF12TFC2, IGBT модуль, 1200В, 450А, 2307Вт [C2] =GD400HFF120C2S

Код товара: 3972
Артикул: MG450HF12TFC2
Характеристики
Производитель Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd.
Макс.напр.к-э,В 1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 450
Структура модуля полумост
Тип силового модуля Сборка на IGBT транзисторах
смотреть полные характеристики
11240,00 
наличие:
Выберите количество:
Силовые IGBTи SiC модули
Основные параметры
Макс.напр.к-э,В 1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 450
Структура модуля полумост
Тип силового модуля Сборка на IGBT транзисторах
кол-во в упаковке 30
Вес, г 345
KPT-G1410P7.6B (5V), Пьезоизлучатель KPT-G1410P7.6B (5 В)
наличие: шт
Код товара: 7075
Артикул: KPT-G1410P7.6B (5V), Пьезоизлучатель KPT-G1410P7.
MGC75D12A1-251H3, Полумомтовой модуль IGBT 150А 1200В
наличие: шт
Код товара: 9306
Артикул: MGC75D12A1-251H3
3970,00 
В корзину
PM100CVA120 100A 1200В модуль 6 IGBT (3 поколение, B серия) Mitsubishi
наличие: шт
Код товара: 5553
Артикул:
105000,00 
В корзину
Тензодатчик BCA-05
наличие: шт
Код товара: 4803
Артикул:
7300,00 
В корзину