Производитель | Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. |
Макс.напр.к-э,В | 1200 |
Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 450 |
Структура модуля | полумост |
Тип силового модуля | Сборка на IGBT транзисторах |
Основные параметры | |
Макс.напр.к-э,В | 1200 |
Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 450 |
Структура модуля | полумост |
Тип силового модуля | Сборка на IGBT транзисторах |
кол-во в упаковке | 30 |
Вес, г | 345 |