Производитель	ON Semiconductor***
Структура	npn darlington с 2 резисторами и диодом
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В	100
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В	100
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)	5

Основные параметры
Структура	npn darlington с 2 резисторами и диодом
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В	100
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В	100
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)	5
Статический коэффициент передачи тока h21э мин	1000
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт	65
Корпус	to-220
Вес, г	2.5

TIP122G, Биполярный транзистор, NPN, (Darlington), 100 В, 5 А, 65 Вт, [TO-220]