| Производитель | WeEn Semiconductors |
| Корпус | TO261 |
| кол-во в упаковке | 1 |
| Case | SOT223 |
| Features of semiconductor devices | sensitive gate |
Описание Симистор, 600В, 1А, SOT223, Igt: 50мА, Ifsm: 11А, 3Q, Hi-Com Характеристики
| Категория | Диод |
| Тип | тринисторы |
| Вид | симистор |
| Основные параметры | |
| Корпус | TO261 |
| кол-во в упаковке | 1 |
| Case | SOT223 |
| Features of semiconductor devices | sensitive gate |
| Gate current | 50mA |
| Kind of package | reel | tape |
| Manufacturer | WeEn Semiconductors |
| Max. forward impulse current | 11A |
| Max. load current | 1A |
| Max. off-state voltage | 0.6kV |
| Mounting | SMD |
| Technology | 3Q | Hi-Com |
| Type of thyristor | triac |
| Вес, г | 11.3 |
![КТ3107Б, Биполярный транзистор, PNP, -45В, -0.1А, 0.3Вт, 250МГц, h21e=120…220 [КТ-26 / TO-92] (=BC307A)](https://euroimport-it.com/wp-content/uploads/2024/04/doc005299941-20.jpg)
