Каталог

GD800HFX170A3S, IGBT модуль 800A 1700В полумост, =FF800R17KP4_B2, CM800DZ-34H, GD800HFX170C3S

Код товара: 3800
Артикул: GD800HFX170A3S
В сравнение В избранное
GD800HFX170A3S, IGBT модуль 800A 1700В полумост, =FF800R17KP4_B2, CM800DZ-34H, GD800HFX170C3S
GD800HFX170A3S, IGBT модуль 800A 1700В полумост, =FF800R17KP4_B2, CM800DZ-34H, GD800HFX170C3S
Характеристики
Производитель STARPOWER
Макс.напр.к-э,В 1700
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 800
Структура модуля одиночный транзистор
Тип силового модуля Сборка на IGBT транзисторах
смотреть полные характеристики
66120,00 ₽
наличие:
Выберите количество:
Силовые IGBTи SiC модули
Основные параметры
Макс.напр.к-э,В 1700
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 800
Структура модуля одиночный транзистор
Тип силового модуля Сборка на IGBT транзисторах
BLM15PG100SN1D
наличие: шт
BLM15PG100SN1D
Код товара: 18814
Артикул:
1,00 ₽
В корзину
NCS6S4815C (TEN5-4813WI) (AM5TW-4815S-RZ) (REC5-4815SRWZ)
наличие: шт
NCS6S4815C (TEN5-4813WI) (AM5TW-4815S-RZ) (REC5-4815SRWZ)
Код товара: 35034
Артикул: NCS6S4815C
3130,00 ₽
В корзину
C1210C104K5RACTU, Ceramic Capacitor 100nF, 50VDC, 1210, A±10 %
наличие: шт
C1210C104K5RACTU, Ceramic Capacitor 100nF, 50VDC, 1210, A±10 %
Код товара: 35030
Артикул: C1210C104K5RACTU
28,00 ₽
В корзину