Каталог

GD650HFX170P1S, IGBT модуль 1.7кВ, 1.073KA аналог для FF650R17IE4D_B2 , 2MBI650XXA170-50

Код товара: 3756
Артикул: GD650HFX170P1S
В сравнение В избранное
GD650HFX170P1S, IGBT модуль 1.7кВ, 1.073KA аналог для FF650R17IE4D_B2 , 2MBI650XXA170-50
GD650HFX170P1S, IGBT модуль 1.7кВ, 1.073KA аналог для FF650R17IE4D_B2 , 2MBI650XXA170-50
Характеристики
Производитель STARPOWER
Макс.напр.к-э,В 1700
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 650
Структура модуля полумост
Тип силового модуля Сборка на IGBT транзисторах
смотреть полные характеристики
27310,00 ₽
наличие:
Выберите количество:
Силовые IGBTи SiC модули
Основные параметры
Макс.напр.к-э,В 1700
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 650
Структура модуля полумост
Тип силового модуля Сборка на IGBT транзисторах
Вес, г 200
PM50RL1B120#350G 50A 1200B модуль IGBT (5 поколение, L1 серия) Mitsubishi
наличие: шт
PM50RL1B120#350G 50A 1200B модуль IGBT (5 поколение, L1 серия) Mitsubishi
Код товара: 5685
Артикул:
32600,00 ₽
В корзину
PM100CLS120 100A 1200В модуль 6 IGBT (5 поколение, L серия) Mitsubishi
наличие: шт
PM100CLS120 100A 1200В модуль 6 IGBT (5 поколение, L серия) Mitsubishi
Код товара: 5509
Артикул:
40210,00 ₽
В корзину
ТТП-15 (2х12В, 0.55А), Трансформатор тороидальный, 2х12В, 0.55А
наличие: шт
ТТП-15 (2х12В, 0.55А), Трансформатор тороидальный, 2х12В, 0.55А
Код товара: 4845
Артикул: ТТП-15 (2х12В, 0.55А)
1920,00 ₽
В корзину
Катушка переменной индуктивности, 10,0×10,0x6,5
наличие: шт
Катушка переменной индуктивности, 10,0×10,0x6,5
Код товара: 33280
Артикул: 4199 индук КИВП \\10,0x10,0x6,5\\А2-50
150,00 ₽
В корзину
ТТП250 (6В, 38А), Трансформатор тороидальный, 6В, 38А
наличие: шт
ТТП250 (6В, 38А), Трансформатор тороидальный, 6В, 38А
Код товара: 5591
Артикул: ТТП250 (6В, 38А)
7040,00 ₽
В корзину
SMAI-24-P10, 24 мм, Пьезоизлучатель с генератором
наличие: шт
SMAI-24-P10, 24 мм, Пьезоизлучатель с генератором
Код товара: 5063
Артикул: SMAI-24-P10, 24 мм
1400,00 ₽
В корзину