GD650HFX170P1S, IGBT модуль 1.7кВ, 1.073KA аналог для FF650R17IE4D_B2 , 2MBI650XXA170-50

Код товара: 3756
Артикул: GD650HFX170P1S
Характеристики
Производитель STARPOWER
Макс.напр.к-э,В 1700
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 650
Структура модуля полумост
Тип силового модуля Сборка на IGBT транзисторах
смотреть полные характеристики
27310,00 
наличие:
Выберите количество:
Силовые IGBTи SiC модули
Основные параметры
Макс.напр.к-э,В 1700
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 650
Структура модуля полумост
Тип силового модуля Сборка на IGBT транзисторах
Вес, г 200
TZX18B-TR, Diode Zener Single 17.9V 2% 500mW Automotive 2-Pin DO-35 T/R
наличие: шт
Код товара: 25571
Артикул: TZX18B-TR
IGCM06F60GAXKMA1, Mодуль IGBT силовой трехфазный 6А 600В PG-MDIP-24
наличие: шт
Код товара: 9150
Артикул: IGCM06F60GAXKMA1