Каталог

GD650HFX170P1S, IGBT модуль 1.7кВ, 1.073KA аналог для FF650R17IE4D_B2 , 2MBI650XXA170-50

Код товара: 3756
Артикул: GD650HFX170P1S
В сравнение В избранное
GD650HFX170P1S, IGBT модуль 1.7кВ, 1.073KA аналог для FF650R17IE4D_B2 , 2MBI650XXA170-50
GD650HFX170P1S, IGBT модуль 1.7кВ, 1.073KA аналог для FF650R17IE4D_B2 , 2MBI650XXA170-50
Характеристики
Производитель STARPOWER
Макс.напр.к-э,В 1700
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 650
Структура модуля полумост
Тип силового модуля Сборка на IGBT транзисторах
смотреть полные характеристики
27310,00 ₽
наличие:
Выберите количество:
Силовые IGBTи SiC модули
Основные параметры
Макс.напр.к-э,В 1700
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 650
Структура модуля полумост
Тип силового модуля Сборка на IGBT транзисторах
Вес, г 200
STC-5000LB, тензодатчик на 5000 фунтов (2265 кг)
наличие: шт
STC-5000LB, тензодатчик на 5000 фунтов (2265 кг)
Код товара: 3840
Артикул: STC-5000LB
13850,00 ₽
В корзину
IGBT МОДУЛЬ MCC501-16IO2, IXYS
наличие: шт
IGBT МОДУЛЬ MCC501-16IO2, IXYS
Код товара: 5375
Артикул:
32070,00 ₽
В корзину
CC-271/500, Конденсатор: керамический, 270пФ, 500В, Y5P, ±10%, THT, 5мм
наличие: шт
CC-271/500, Конденсатор: керамический, 270пФ, 500В, Y5P, ±10%, THT, 5мм
Код товара: 23397
Артикул: CC-271/500
9,00 ₽
В корзину