BT168G,112, Тиристор; 600В; Ifмакс: 0,8А; Igt: 200мкА; TO92; THT; Ifsm: 8А

Код товара: 3628
Артикул: BT168G,112
Характеристики
Производитель WeEn Semiconductors
Brand: WeEn Semiconductors
Breakover Current IBO Max: 9 A
Current Rating: 500 mA
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: 5000
смотреть полные характеристики
44,00 
наличие:
Выберите количество:
Описание Тиристор; 600В; Ifмакс: 0,8А; Igt: 200мкА; TO92; THT; Ifsm: 8А
Основные параметры
Brand: WeEn Semiconductors
Breakover Current IBO Max: 9 A
Current Rating: 500 mA
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: 5000
Gate Trigger Current - Igt: 50 uA
Gate Trigger Voltage - Vgt: 0.5 V
Holding Current Ih Max: 2 mA
Manufacturer: WeEn Semiconductors
Maximum Gate Peak Inverse Voltage: 5 V
Maximum Operating Temperature: +125 C
Mounting Style: Through Hole
Non Repetitive On-State Current: 8 A
Off-State Leakage Current @ VDRM IDRM: 50 uA
On-State RMS Current - It RMS: 800 mA
Package / Case: SOT-54-3
Part # Aliases: 934042490112
Product Category: SCRs
Product Type: SCRs
Rated Repetitive Off-State Voltage VDRM: 600 V
Subcategory: Thyristors
Type: SCR
Вес, г 0.35
Жесткий диск Dell 400-22283T
наличие: шт
Код товара: 9409
Артикул: 400-22283T
22519,00 
В корзину
Камера Acti B97
наличие: шт
Код товара: 10851
Артикул: B97
135583,00 
В корзину
63-0000-0977
наличие: 10 шт
Код товара: 38061
Артикул: ecabb31893cc
67353,00 
В корзину