Каталог

SS8550CBU, Биполярный транзистор, PNP, -25 В, 200 МГц, 1 Вт, -1.5 А, 120 hFE, [TO-92]

Код товара: 36146
Артикул: SS8550CBU
В сравнение В избранное
SS8550CBU, Биполярный транзистор, PNP, -25 В, 200 МГц, 1 Вт, -1.5 А, 120 hFE, [TO-92]
SS8550CBU, Биполярный транзистор, PNP, -25 В, 200 МГц, 1 Вт, -1.5 А, 120 hFE, [TO-92]
Характеристики
Производитель Fairchild Semiconductor
Структура pnp
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 40
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 25
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 1.5
смотреть полные характеристики
16,00 ₽
наличие:
Выберите количество:
Биполярные транзисторы – BJT TO92 PNP 2W BULK
Основные параметры
Структура pnp
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 40
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 25
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 1.5
Статический коэффициент передачи тока h21э мин 120
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц 200
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт 1
Корпус TO-92
Вес, г 0.3
CF-100 (С1-4) 1 Вт, 430 Ом, 5%, Резистор углеродистый
наличие: шт
CF-100 (С1-4) 1 Вт, 430 Ом, 5%, Резистор углеродистый
Код товара: 2962
Артикул: CF-100 (С1-4) 1 Вт, 430 Ом, 5%
9,00 ₽
В корзину
MO-100 (С2-23) 1 Вт, 160 кОм, 5%, Резистор металлооксидный
наличие: шт
MO-100 (С2-23) 1 Вт, 160 кОм, 5%, Резистор металлооксидный
Код товара: 33896
Артикул: MO-100 (С2-23) 1 Вт, 160 кОм, 5%
9,00 ₽
В корзину
MO-100 (С2-23) 1 Вт, 47 Ом, 5%, Резистор металлооксидный
наличие: шт
MO-100 (С2-23) 1 Вт, 47 Ом, 5%, Резистор металлооксидный
Код товара: 32348
Артикул: MO-100 (С2-23) 1 Вт, 47 Ом, 5%
18,00 ₽
В корзину
Катушка переменной индуктивности, 0,8~1,2мкГн, 7,3×7,5×11,5
наличие: шт
Катушка переменной индуктивности, 0,8~1,2мкГн, 7,3×7,5×11,5
Код товара: 33118
Артикул: 3972 индук КИВП 0,8~1,2мкГн\\7,3x7,5x11,5\\
140,00 ₽
В корзину
AM26C31IPWG4
наличие: 0 шт
AM26C31IPWG4
Код товара: 38335
Артикул: 556e6baa4a5b
0,00 ₽
В корзину