PZT2222AT1G, GP BJT NPN 40V 0.6A, [SOT-223]

Код товара: 35732

Артикул: PZT2222AT1G

PZT2222AT1G, GP BJT NPN 40V 0.6A, [SOT-223]

Характеристики

Производитель	ON Semiconductor***
Структура	npn
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В	75
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В	40
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)	0.6

смотреть полные характеристики

21,00 ₽

наличие:

Выберите количество:

В корзину

Описание
Технические характеристики

The PZT2222AT1G is a NPN Silicon Planar Epitaxial Transistor designed for use in linear and switching and medium power surface mount applications. The formed leads absorb thermal stress during soldering, eliminating the possibility of damage to the die. This transistor is PPAP capable and AEC-Q101 qualified. The SOT-223 package ensures level mounting, resulting in improved thermal conduction and allows visual inspection of soldered joints.

• Halogen-free

Основные параметры
Структура	npn
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В	75
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В	40
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)	0.6
Статический коэффициент передачи тока h21э мин	100
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц	300
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт	1.5
Корпус	SOT-223
Вес, г	0.39