PBSS5240T,215, Транзистор PNP low VCEsat, 40 В, 2 А, 480мВт [SOT-23-3]

Код товара: 35216
Артикул: PBSS5240T,215
Характеристики
Производитель Nexperia B.V.
Структура pnp
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 40
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 40
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 2
смотреть полные характеристики
48,00 
наличие:
Выберите количество:
A range of NXP BISS (Breakthrough In Small Signal) Low Saturation Voltage PNP Bipolar Junction Transistors.
Основные параметры
Структура pnp
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 40
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 40
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 2
Статический коэффициент передачи тока h21э мин 210
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц 200
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт 0.48
Корпус sot-23
Максимальная Рабочая Температура 150 C
Количество Выводов 3вывод(-ов)
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) MSL 1 - Безлимитный
Напряжение Коллектор-Эмиттер 40в
Стиль Корпуса Транзистора sot-23
Рассеиваемая Мощность 300мВт
Полярность Транзистора pnp
DC Ток Коллектора
DC Усиление Тока hFE 450hFE
Частота Перехода ft 200мгц
Вес, г 0.05
Аккумулятор Vixion EB-BT561ABE для планшета Samsung Galaxy Tab E SM-T560
наличие: шт
Код товара: 25219
Артикул:
1420,00 
В корзину
Предохранитель 6,0×30, ток 0,5 А, керамика, KF-0470A
наличие: шт
Код товара: 22960
Артикул: 1516 пред 6,0x30\ 0,5А\AXI\кер\\KF-0470A