PBSS5240T,215, Транзистор PNP low VCEsat, 40 В, 2 А, 480мВт [SOT-23-3]

Код товара: 35216
Артикул: PBSS5240T,215
Характеристики
Производитель Nexperia B.V.
Структура pnp
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 40
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 40
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 2
смотреть полные характеристики
48,00 ₽
наличие:
Выберите количество:
A range of NXP BISS (Breakthrough In Small Signal) Low Saturation Voltage PNP Bipolar Junction Transistors.
Основные параметры
Структура pnp
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 40
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 40
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 2
Статический коэффициент передачи тока h21э мин 210
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц 200
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт 0.48
Корпус sot-23
Максимальная Рабочая Температура 150 C
Количество Выводов 3вывод(-ов)
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) MSL 1 - Безлимитный
Напряжение Коллектор-Эмиттер 40в
Стиль Корпуса Транзистора sot-23
Рассеиваемая Мощность 300мВт
Полярность Транзистора pnp
DC Ток Коллектора 2А
DC Усиление Тока hFE 450hFE
Частота Перехода ft 200мгц
Вес, г 0.05
L296P
наличие: шт
Код товара: 30202
Артикул:
DLA100-N, Дроссель: осевой, THT, 100мкГн, 165мА, 3,8Ом, d3x8мм
наличие: шт
Код товара: 15438
Артикул: DLA100-N
Каркас Индуктивности26x11m (27x19x11), UTT-102
наличие: шт
Код товара: 32704
Артикул: 13725 индук каркас\26x11m(27x19x11)\10P\пл\UTT-102
14-7068-0125
наличие: 83 шт
Код товара: 38197
Артикул: 6fc8f860a52d