| Производитель | ON Semiconductor*** |
| Структура | npn+pnp |
| Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В | 250 |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 250 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 15 |
| Основные параметры | |
| Структура | npn+pnp |
| Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В | 250 |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 250 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 15 |
| Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 75 |
| Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 30 |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 150 |
| Корпус | TO-3P |
| Вес, г | 11 |