Каталог

MUN2211T1G, Цифровой транзистор NPN 50В 100мА R1/R2=10кОм [SC-59-3]

Код товара: 35108
Артикул: MUN2211T1G
В сравнение В избранное
MUN2211T1G, Цифровой транзистор NPN 50В 100мА R1/R2=10кОм [SC-59-3]
MUN2211T1G, Цифровой транзистор NPN 50В 100мА R1/R2=10кОм [SC-59-3]
Характеристики
Производитель ON Semiconductor***
Структура npn с 2 резисторами
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 50
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 50
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 0.5
смотреть полные характеристики
13,00 ₽
наличие:
Выберите количество:
Описание Транзистор: NPN, биполярный, BRT, 50В, 0,1А, 0,23Вт, SC59, R1: 10кОм Характеристики

Категория Транзистор
Тип биполярный
Вид NPN
Основные параметры
Структура npn с 2 резисторами
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 50
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 50
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 0.5
Статический коэффициент передачи тока h21э мин 35
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт 0.23
Корпус SC-59
Вес, г 0.05
PE-51517NL
наличие: 10 шт
PE-51517NL
Код товара: 36878
Артикул: 44ed7738f0a5
12,00 ₽
В корзину
CG2300LS, Gas Discharge Tubes – GDTs / Gas Plasma Arrestors GP S.A. STANDARD 300V NOMINAL SMT
наличие: шт
CG2300LS, Gas Discharge Tubes – GDTs / Gas Plasma Arrestors GP S.A. STANDARD 300V NOMINAL SMT
Код товара: 33820
Артикул: CG2300LS
1110,00 ₽
В корзину
24-6337-7420
наличие: 2 шт
24-6337-7420
Код товара: 38202
Артикул: 61f46387b65d
141362,00 ₽
В корзину
77A-3R9M-00
наличие: 300 шт
77A-3R9M-00
Код товара: 36813
Артикул: 4d3699502a47
2,00 ₽
В корзину
LM2594HVM-ADJ, DC-DC преобразователь, Step-Down, Uвх.=4.5…60В, Uвых=1.2.…37В, Iвых= 1.5А, 150кГц [SOIC-8]
наличие: шт
LM2594HVM-ADJ, DC-DC преобразователь, Step-Down, Uвх.=4.5…60В, Uвых=1.2.…37В, Iвых= 1.5А, 150кГц [SOIC-8]
Код товара: 4961
Артикул: LM2594HVM-ADJ
180,00 ₽
В корзину