Производитель	ON Semiconductor***
Структура	npn с 2 резисторами
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В	50
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В	50
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)	0.1

Основные параметры
Структура	npn с 2 резисторами
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В	50
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В	50
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)	0.1
Статический коэффициент передачи тока h21э мин	35
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт	0.246
Корпус	sot-23
Вес, г	0.05

MMUN2235LT1G, Транзистор NPN Digital, R1=2.2 кОм, R2= 47 кОм [SOT-23-3] (AA2) ( аналог BCR108E6327HTSA1)