Home
Электронные компоненты
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
MMUN2213LT1G, Транзистор NPN Digital, R1=47 кОм, R2= 47 кОм [SOT-23-3]

MMUN2213LT1G, Транзистор NPN Digital, R1=47 кОм, R2= 47 кОм [SOT-23-3]

Код товара: 34946

Артикул: MMUN2213LT1G

MMUN2213LT1G, Транзистор NPN Digital, R1=47 кОм, R2= 47 кОм [SOT-23-3]

Характеристики

Производитель	ON Semiconductor***
Структура	npn c 2 резисторами
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В	50
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)	0.1
Статический коэффициент передачи тока h21э мин	80

смотреть полные характеристики

13,00 ₽

наличие:

Выберите количество:

В корзину

Описание
Технические характеристики

TRANSISTOR, DIGITAL, SOT-23; Digital Transistor Polarity:Single NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:50V; Continuous Collector Current Ic:100mA; Base Input Resistor R1:47kohm; Base-Emitter Resistor R2:47kohm; Resistor Ratio, R1 / R2:1(Ratio); RF Transistor Case:SOT-23; No. of Pins:3 Pin; Product Range:-; Automotive Qualification Standard:AEC-Q101; MSL:MSL 1 – Unlimited; SVHC:No SVHC (27-Jun-2018); Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):-250mV; Continuous Collector Current Ic Max:100mA; Current Ic Continuous a Max:100mA; Current Ic hFE:5mA; DC Collector Current:100mA; DC Current Gain hFE:140hFE; Hfe Min:80; No. of Pins:3Pins; No. of Transistors:1; Operating Temperature Max:150В°C; Operating Temperature Min:-55В°C; Pin Configuration:1; Power Dissipation Pd:246mW; Power Dissipation Ptot Max:200mW; Resistance R1:47kohm; Resistance R2:47kohm; SMD Marking:A8C; Transistor Case Style:SOT-23; Transistor Type:Bias Resistor (BRT); Voltage Vcbo:50V

Основные параметры
Структура	npn c 2 резисторами
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В	50
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)	0.1
Статический коэффициент передачи тока h21э мин	80
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт	0.246
Корпус	sot-23
Вес, г	0.05