Каталог

MMUN2113LT1G, Транзистор PNP -50В -100мА 400мВт [SOT-23-3]

Код товара: 34910
Артикул: MMUN2113LT1G
В сравнение В избранное
MMUN2113LT1G, Транзистор PNP -50В -100мА 400мВт [SOT-23-3]
MMUN2113LT1G, Транзистор PNP -50В -100мА 400мВт [SOT-23-3]
Характеристики
Производитель ON Semiconductor***
Структура pnp с 2 резисторами
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 50
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 50
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 0.1
смотреть полные характеристики
10,00 ₽
наличие:
Выберите количество:
Resistor-equipped bipolar transistors, also known as “Digital Transistors” or “Bias Resistor Transistors”, incorporating one or two integrated resistors.
Основные параметры
Структура pnp с 2 резисторами
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 50
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 50
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 0.1
Статический коэффициент передачи тока h21э мин 80
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт 0.246
Корпус sot-23
Вес, г 0.05