MMUN2113LT1G, Транзистор PNP -50В -100мА 400мВт [SOT-23-3]

Код товара: 34910
Артикул: MMUN2113LT1G
Характеристики
Производитель ON Semiconductor***
Структура pnp с 2 резисторами
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 50
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 50
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 0.1
смотреть полные характеристики
10,00 
наличие:
Выберите количество:
Resistor-equipped bipolar transistors, also known as “Digital Transistors” or “Bias Resistor Transistors”, incorporating one or two integrated resistors.
Основные параметры
Структура pnp с 2 резисторами
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 50
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 50
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 0.1
Статический коэффициент передачи тока h21э мин 80
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт 0.246
Корпус sot-23
Вес, г 0.05
2045-47-BLF, Gas Discharge Tubes 470VDC 10kADC 1.5pF Axial Thru-Hole
наличие: шт
Код товара: 28957
Артикул:
Д818Б металл, Стабилитрон кремниевый, 8.3В
наличие: шт
Код товара: 13949
Артикул: Д818Б металл
GD200HFU120C2S, Модуль IGBT 1200В 262А
наличие: шт
Код товара: 7819
Артикул: GD200HFU120C2S
10360,00 
В корзину
002631008, Предохранитель CH 14X51 aM 12A 690V
наличие: шт
Код товара: 35576
Артикул: 002631008
1460,00 
В корзину
Маршрутизатор Teltonika RUT950
наличие: шт
Код товара: 12373
Артикул: RUT950
23494,00 
В корзину